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    “現代的光刻技術分成幾個步驟，首先是氣相成底膜，就是硅片在清洗、烘培后首先通過浸泡、噴霧或化學氣相沉積等工藝。

    然后是旋轉涂膠，是形成底膜后，要在硅片表面均勻覆蓋光刻膠，此時硅片被放置在真空吸盤上，吸盤底部與轉動電機相連，當硅片靜止或旋轉的非常緩慢時，光刻膠被分滴在硅片上，隨后加速硅片旋轉到一定的轉速，光刻膠借助離心作用伸展到整個硅片表面，并持續旋轉甩去多余的光刻膠，在硅片上得到均勻的光刻膠膠膜覆蓋層，旋轉一直到溶劑揮發，光刻膠膜幾乎干燥后停止。

    然后是軟烘，是涂完光刻膠后，需對硅片進行軟烘，除去光刻膠中殘余的溶劑，提高光刻膠的粘附性和均勻性。未經軟烘的光刻膠易發粘并受顆粒污染，粘附力會不足，還會因溶劑含量過高導致顯影時存在溶解差異，難以區分曝光和未曝光的光刻膠。

    還有曝光，這個過程是在硅片表面和石英掩模對準并聚焦后，使用紫外光照射，未受掩模遮擋部分的光刻膠發生曝光反應，實現電路圖從掩模到硅片上的轉移。

    顯影，是使用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠可溶解區域，使可見圖形出現在硅片上，并區分需要刻蝕的區域和受光刻膠保護的區域。顯影完成后通過旋轉甩掉多余顯影液，并用高純水清洗后甩干。

    堅膜，顯影后的熱烘叫做堅膜烘培，溫度比軟烘更高，目的是蒸發掉剩余的溶劑使光刻膠變硬，提高光刻膠對硅片表面的粘附性，這一步對光刻膠的穩固，對后續的刻蝕等過程非常關鍵。

    堅模之后就是刻蝕了，這項工藝非常重要，是通過化學或物理的方法有選擇地從硅片表面除去不需要材料的過程，通過刻蝕能在硅片上構建預想的電子器件。

    最后就是去膠，是刻蝕完成后，通過特定溶劑，洗去硅片表面殘余的光刻膠，此時一個小小的芯片基本就完成了！”

    呈賢把這臺光刻機的工作原理講的非常清楚，讓周明都有耳目一新的感覺。

    “果然厲害，我們的刻紋機就沒有這么多的結構，怪不得人家那么強大，在這些小小的細節方面我們就沒法比呀！”

    作為科學家，周明教授只認真理，人家美國強就是強，你不承認就是自欺欺人，不像有的人，人家比你強還不承認，這樣的態度永遠不會進步。

    “海軍小同志，你接觸這套生產線時間最長，那你有如何改進的方法嗎？”

    周明看著王海軍問道。

    王海軍一聽腦袋晃得跟撥浪鼓一樣。

    “我有方法？我要有方法那就是神仙了！”

    “周教授，我沒有任何方法，甚至我連光刻機里的構成都不知道呀！”

    王海軍實話實說道。

    “嗯，我也沒有方法，這種設備不是幾個人就能弄明白的，看來只能找人了，或許那幫家伙能幫上忙！”

    周明說道。
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