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    現(xiàn)在這個(gè)身份想在華國(guó)創(chuàng)業(yè)，難度太高。

    或者說(shuō)想搞半導(dǎo)體的難度太高。

    稍作準(zhǔn)備后，周新便給胡正明的電子郵件地址發(fā)了一封關(guān)于MOSFET模型進(jìn)一步優(yōu)化的論文過(guò)去。

    胡正明從1976年開(kāi)始就在伯克利任教，一直郵箱就沒(méi)有變過(guò)。

    從實(shí)際MOSFET晶體管出發(fā)，在復(fù)雜物理領(lǐng)域推演出數(shù)學(xué)模型，這是胡正明的得意之作。

    這篇發(fā)表自1985年的論文，被引用次數(shù)接近2000次，是他僅次于FinFETch架構(gòu)的成果。

    在這個(gè)年代該數(shù)學(xué)模型被國(guó)際上38家大公司參與的晶體管模型理事會(huì)選為設(shè)計(jì)芯片的第一個(gè)且唯一的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。

    從1985年發(fā)表該論文以來(lái)，一直有各種研究試圖改進(jìn)該模型。

    94年的時(shí)候有試圖通過(guò)薄氮化氧化物來(lái)優(yōu)化該模型的，95年有通過(guò)電子的熱再發(fā)射來(lái)優(yōu)化。

    但是這些研究都是通過(guò)物質(zhì)層面，通過(guò)改變晶體管材料，來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化MOSFET晶體管的目的。

    遲遲沒(méi)有從數(shù)學(xué)模型層面出發(fā)，很好優(yōu)化胡正明的MOSFET模型的結(jié)果。

    要知道此時(shí)離1985年過(guò)去了十三年。

    遠(yuǎn)在舊金山灣區(qū)的胡正明教授，每天早上和往常一樣，先查閱一遍自己的郵箱。

    電子郵箱已經(jīng)有十來(lái)年的歷史，這十來(lái)年里，受益于電子郵箱，來(lái)自世界各地的科學(xué)家們交流變得更加頻繁。

    對(duì)于胡正明來(lái)說(shuō)，每天到辦公室的第一件事，也從查收紙質(zhì)郵件，變成了查收電子郵件。

    一封名為MOSFET模型優(yōu)化的郵件，很快吸引了他的注意。

    畢竟作為該模型的創(chuàng)造者，胡正明本人也希望能夠進(jìn)一步優(yōu)化它。

    可惜不管是他本人，還是其他科學(xué)家，都沒(méi)有誰(shuí)能夠從數(shù)學(xué)模型的角度，對(duì)MOSFET進(jìn)行優(yōu)化。

    “......這種臨界能量和觀察到的時(shí)間依賴(lài)性可以用涉及= Sis H鍵斷裂的物理模型來(lái)解釋。器件壽命與 I-2sub 9 I1d9ΔV15t成正比。如果由于 L小或 Vd大等原因?qū)е?nbsp;Isub變大，則τ會(huì)變小。因此，Isub（可能還有光發(fā)射）是τ的有力預(yù)測(cè)因子。

    已發(fā)現(xiàn)比例常數(shù)因不同技術(shù)而異，相差 100倍，這為未來(lái)通過(guò)電介質(zhì)/界面技術(shù)的改進(jìn)提供了顯著提高可靠性的希望。一個(gè)簡(jiǎn)單的物理模型可以將溝道場(chǎng) Em與所有器件參數(shù)和偏置電壓相關(guān)聯(lián)。描述了它在解釋和指導(dǎo)熱電子縮放中的用途。”

    因?yàn)楹鳂?gòu)建的數(shù)學(xué)模型很簡(jiǎn)單，簡(jiǎn)單的描繪了MOSFET退化的本質(zhì)。
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