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    周新在阿美利肯期間，主要溝通對象之一就是胡正明，口語主要就是在阿美利肯那幾年突飛猛進的。

    口語表達上二人當然會有相似之處。

    周新在電話那頭笑了笑：“好。”

    “MOSFET模型可以將 Em與所有器件參數和偏置電壓相關聯，描述了它在解釋和指導熱電子縮放中的用途，你是如何想到通過電路仿真的預測性來對MOSFET進行互連建模？”

    跨越數千公里的電話線，兩頭不僅僅是地理上的距離，更是時間上的距離。

    周新發給胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的論文，發表在2000年的IEEE集成電路會議論文集上，在胡正明超過九百篇論文里被引用次數排名第八。

    雖然排名不是很高，但是卻起到了承上啟下的作用。

    胡正明最大的貢獻是，將半導體的2D結構，研發優化出了3D結構，也就是FinFET。

    從 1960年到 2010年左右，基本的平面(2D) MOSFET結構一直保持不變，直到進一步增加晶體管密度和降低器件功耗變得不可能。

    胡正明在加州大學伯克利分校的實驗室早在1995年就看到了這一點。

    FinFET作為第一個 3D MOSFET，將扁平而寬的晶體管結構變為高而窄的晶體管結構。好處是在更小的占地面積內獲得更好的性能，就像在擁擠的城市中多層建筑相對于單層建筑的優勢一樣。

    FinFET也就是所謂的薄體（thin-body）MOSFET，這一概念繼續指導新設備的開發。

    它源于這樣一種認識，即電流不會通過硅表面幾納米內的晶體管泄漏，因為那里的表面電勢受到柵極電壓的良好控制。

    FinFET牢記這種薄體概念。該器件的主體是垂直的硅鰭片，被氧化物絕緣體和柵極金屬覆蓋，在強柵極控制范圍之外沒有留下任何硅。FinFET將漏電流降低了幾個數量級，并降低了晶體管工作電壓。它還指出了進一步改進的路徑：進一步降低厚度。

    而電流不會通過硅表面幾納米內的晶體管泄漏，因為那里的表面電勢受到柵極電壓的良好控制，這一概念，正是MOSFET進行互連建模在實驗室進行復現后發現的。

    周新不可能告訴胡正明，這是你自己發現的。

    不過由于周新對于胡正明最重要的論文，都做過精讀，對于當時是如何思考，有自己的分析。

    這些分析和二十年后的老胡交流過程中，也獲得了對方的認可。

    　　


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