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    MOSFET可以說(shuō)是最常見(jiàn)的晶體管，幾乎不需要通過(guò)輸入電流來(lái)控制負(fù)載電流。

    MOSFET多種多樣，但是基本都能夠分成兩類，增強(qiáng)型和耗盡型。

    然后這兩種類型可以用作n溝道或者p溝道。

    MOSFET是平面晶體管，而胡正明發(fā)明的FinFET架構(gòu)則是3D的晶體管，3D晶體管能夠克服晶體管本身可能遭遇的短溝道效應(yīng)。

    簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)FinFET能以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)。finFET的設(shè)計(jì)主要為突破25nm制程，解決mosFET由于制程縮小伴隨的隧穿效應(yīng)。

    當(dāng)然從FinFET這個(gè)架構(gòu)2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入臺(tái)積電作為首席專家，臺(tái)積電在2002年12月才拿出第一個(gè)真正意義上的FinFET晶體管。

    而一直到了2012年商用22nm的FinFET架構(gòu)的晶體管才面世。

    這是一個(gè)非常漫長(zhǎng)的過(guò)程。

    周新要講的是MOSFET架構(gòu)的某一種優(yōu)化。

    帶有些許的FinFET架構(gòu)思想在其中。

    但是順著這條路去思考，反而會(huì)走上彎路。

    “......我們可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)一端沒(méi)有電壓時(shí)，通道會(huì)顯示最大電導(dǎo)。當(dāng)兩端電壓同為正或同為負(fù)的時(shí)候，通道的電導(dǎo)率會(huì)降低。

    我們嘗試關(guān)閉不導(dǎo)通的區(qū)域，讓MOSFET在該區(qū)域工作的時(shí)候，把歐姆區(qū)作為放大器。

    在飽和區(qū)MOSFET的I DS是恒定的，盡管V DS增加并且一旦V DS超過(guò)夾斷電壓V P的值就會(huì)發(fā)生。

    在這種情況下，該設(shè)備將像一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)一樣工作，飽和的I DS值流過(guò)該開(kāi)關(guān)。

    因此，無(wú)論何時(shí)需要 MOSFET執(zhí)行開(kāi)關(guān)操作，都會(huì)選擇該工作區(qū)域......

    這樣一來(lái)我們就能夠讓MOSFET在較低電壓下以更高效率運(yùn)行。”

    周新的論文講完后臺(tái)下響起了禮貌的掌聲。

    因?yàn)橹苄碌膬?nèi)容是純粹的模型，也就是從理論層面講述一個(gè)更加優(yōu)秀的MOSFET架構(gòu)，而缺乏實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。

    很多東西模型設(shè)計(jì)的很完美，不代表在實(shí)驗(yàn)室復(fù)刻出來(lái)真的有這么完美。

    現(xiàn)實(shí)世界是無(wú)法像理論推演一樣完美的。

    不過(guò)單純從內(nèi)容上來(lái)說(shuō)，周新的MOSFET架構(gòu)給了在場(chǎng)的研究人員們很多思考。
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