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    MOSFET可以說是最常見的晶體管，幾乎不需要通過輸入電流來控制負載電流。

    MOSFET多種多樣，但是基本都能夠分成兩類，增強型和耗盡型。

    然后這兩種類型可以用作n溝道或者p溝道。

    MOSFET是平面晶體管，而胡正明發明的FinFET架構則是3D的晶體管，3D晶體管能夠克服晶體管本身可能遭遇的短溝道效應。

    簡單來說FinFET能以更低的成本實現更高的性能指標。finFET的設計主要為突破25nm制程，解決mosFET由于制程縮小伴隨的隧穿效應。

    當然從FinFET這個架構2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入臺積電作為首席專家，臺積電在2002年12月才拿出第一個真正意義上的FinFET晶體管。

    而一直到了2012年商用22nm的FinFET架構的晶體管才面世。

    這是一個非常漫長的過程。

    周新要講的是MOSFET架構的某一種優化。

    帶有些許的FinFET架構思想在其中。

    但是順著這條路去思考，反而會走上彎路。

    “......我們可以發現當一端沒有電壓時，通道會顯示最大電導。當兩端電壓同為正或同為負的時候，通道的電導率會降低。

    我們嘗試關閉不導通的區域，讓MOSFET在該區域工作的時候，把歐姆區作為放大器。

    在飽和區MOSFET的I DS是恒定的，盡管V DS增加并且一旦V DS超過夾斷電壓V P的值就會發生。

    在這種情況下，該設備將像一個閉合的開關一樣工作，飽和的I DS值流過該開關。

    因此，無論何時需要 MOSFET執行開關操作，都會選擇該工作區域......

    這樣一來我們就能夠讓MOSFET在較低電壓下以更高效率運行?！?

    周新的論文講完后臺下響起了禮貌的掌聲。

    因為周新的內容是純粹的模型，也就是從理論層面講述一個更加優秀的MOSFET架構，而缺乏實驗數據。

    很多東西模型設計的很完美，不代表在實驗室復刻出來真的有這么完美。

    現實世界是無法像理論推演一樣完美的。

    不過單純從內容上來說，周新的MOSFET架構給了在場的研究人員們很多思考。
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