第(2/3)頁 中村很謹慎，大家關(guān)系好歸關(guān)系好，他也不希望看到索尼被新芯科技滲透的和篩子一樣。 關(guān)建英說：“因為我們即將推出的第二代Mphone也將采用90nm的工藝，離第一代Mphone已經(jīng)過去兩年時間了，Matrix之所以沒有發(fā)布新一代Mphone，很大一部分原因是因為芯片性能還沒有實現(xiàn)突破。 我們在和IBM、德州儀器、三星這些芯片生產(chǎn)廠商合作的時候，新芯科技的A2系列芯片在流片的時候普遍發(fā)現(xiàn)超低K值介電材料會存在漏電流的問題。 所以之前你一和我們說索尼新一代掌機要采取最先進的芯片技術(shù)，我就猜到了你們同樣會面臨這一問題。” 中村心想，原來是我泄露的嗎？我只是說了這么含糊的一句，關(guān)桑就推測出了這么多東西？ 他內(nèi)心不由得一陣佩服，然后連忙問：“新芯科技遇到了同樣的問題，看來關(guān)桑是想到了解決方法？” 中村末廣顯然格外上心，要是PSP的芯片出了問題，那死的第一個就是他。 關(guān)建英點頭：“新芯科技從兩年前開始著手超低K介電材料的應用，目前推出了新一代氧化硅技術(shù)可以解決這個問題。 我們把它叫做Black Diamond薄膜，它的有效介電常數(shù)會小于3.0，同時采取新芯科技獨有的雙鑲嵌工藝后，可以將電容值降低25%到35%之間。” 這是新芯科技在硅谷的研發(fā)中心的成果，準確來說周新在成功賣掉quora之后在硅谷成立了研發(fā)中心，有軟件層面的研發(fā)中心也有半導體領(lǐng)域的研發(fā)中心。 其中超低K介電材料就是半導體研發(fā)中心過去兩年重要研發(fā)課題之一，因為周新天然知道超低K介電材料未來在半導體材料中會越來越重要，并且他也大致知道阿美利肯的應用材料公司是如何解決這個問題的。 低k介質(zhì)在超大規(guī)模集成電路中，隨著器件集成度的提高和延遲時間進一步減小，需要它作為絕緣材料，以保證器件的高速性能并控制能耗。而隨著芯片體積的縮小，對低K介質(zhì)的要求也越來越高。 這在未來大A的半導體市場研報中叫做半導體前驅(qū)體材料中的低K前驅(qū)體材料。 有領(lǐng)導性的思想作指引，新芯科技在硅谷的研發(fā)中心進展很快，基于90nm制程的black diamond技術(shù)已經(jīng)研發(fā)完成了，這一技術(shù)說白了就是在氧化硅里摻碳，同時采取雙鑲嵌工藝可以完美解決低介電質(zhì)薄膜間以及低介電質(zhì)薄膜與金屬連線間的界面結(jié)合問題，使低介電質(zhì)薄膜間的粘著系數(shù)大為提高。 中村連連贊嘆：“真是了不起的新芯科技，在這一領(lǐng)域之前一直被應用材料公司所壟斷，沒想到新芯科技在如此短時間內(nèi)就能夠?qū)崿F(xiàn)技術(shù)上的突破。” 應用材料是半導體領(lǐng)域最重要的原材料和設備公司，是很多上游材料的最大供應商，也是第一家進入華國的芯片設備公司。 中村末廣不至于要懷疑關(guān)建英話語中的真實性，因為材料領(lǐng)域行就是行，不行就是不行。 關(guān)建英既然會提出來，說明他們希望和索尼合作，新芯科技的超低K介質(zhì)材料也會拿來給索尼試用。 關(guān)建英說：“我們硅谷的研發(fā)中心有著大量經(jīng)驗豐富的工程師和研發(fā)人員，新芯科技不僅在移動芯片設計領(lǐng)域有著足夠的經(jīng)驗，在半導體材料、芯片代工上同樣有著豐富的經(jīng)驗。 好吧，也許芯片代工的經(jīng)驗有限，我們目前確實做不到生產(chǎn)90nm芯片，但是新芯科技絕對具備設計90nm芯片的能力。” 關(guān)建英也沒想幫索尼生產(chǎn)芯片，無論是新芯自身還是華國本土的芯片制造廠商，現(xiàn)在都不具備90nm芯片生產(chǎn)能力。 別說華國的芯片生產(chǎn)廠商了，臺積電目前都被卡著沒有進展呢。 所以關(guān)建英只是想幫索尼設計90nm芯片，同時把他們研發(fā)出來的超低K介質(zhì)材料推銷給索尼，并且把130nm甚至更低制程的芯片賣給任天堂。 對于關(guān)建英來說，這次來霓虹也屬于行銷了。 中村說：“我需要時間來驗證我們制造出來的芯片是否真的存在這樣的問題，如果存在，那么我想索尼的晶圓廠不會介意從新芯手里購買超低K介質(zhì)材料。 不僅是索尼，東芝、NEC、松下等，霓虹的芯片生產(chǎn)廠商都不會拒絕在半導體材料上和新芯科技合作。 至于索尼未來掌機的移動芯片設計，我們也可以考慮和新芯合作。” 第(2/3)頁