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    ArF和KrF是光刻技術中使用到的深紫外光源，目前主流廠商采用的全部都是KrF。

    ASML和臺積電合作，在林本堅的帶領下，最早開始大規模往ArF方向投入，這也是后續ASML實現技術壟斷的關鍵因素之一。

    說到這里就多說兩句，大家都知道光刻機是半導體制程中的關鍵設備，用于將設計圖案轉移到晶圓上。

    但是具體光刻機是怎么作業的，很多人并不是那么清楚。簡單來說先在晶圓表面涂上一層光敏性的光刻膠，這種光刻膠會在紫外光照射下發生化學反應，然后改變它的溶解性。

    國內光刻機被卡脖子，光刻膠同樣被卡脖子。

    然后使用光掩膜，一個上面有著細微圖案的透明載體，細微圖案代表了集成電路中的不同元件和互連。光掩膜被放置在光刻機的光源和硅晶圓之間。

    光刻機中的光源（KrF或者ArF）照射到光掩膜上。

    光通過圖案的開放區域，被阻擋的部分與圖案相對應。

    然后，光通過投影光學系統，該系統將圖案縮放并聚焦到硅晶圓上涂有光刻膠的表面。

    經過曝光后，光刻膠中的光敏材料發生化學變化。

    在陽性光刻膠中，曝光區域變得更容易溶解；在陰性光刻膠中，曝光區域變得更不容易溶解。

    將硅晶圓浸入顯影液中，溶解掉光刻膠中發生化學變化的區域。這樣，光掩膜上的圖案就被準確地轉移到硅晶圓表面的光刻膠上。

    光刻膠圖案形成后，通過刻蝕、摻雜或金屬沉積步驟將逐層構建出完整的芯片。

    在沒有線上百科，不對，現在已經有Quora百科了，總之能夠準確說出ArF和KrF證明周新在光刻機領域還是有比較深入研究的。

    畢竟很多光刻機領域的從業人員都不知道還有ArF這條技術路線。

    林本堅說：“ArF的波長是193nm，而KrF光源的波長是248nm，較短的波長有助于實現更高的分辨率和更精細的圖案。”

    周新問：“但是ArF他在具體處理更小的制程節點的時候，會出現更多的線性波動和不規則性。

    雖然ArF波長更短，但是它的不可控性更高。

    這對于工業化生產來說是大忌。這才是為什么尼康也好，ASML也好，在嘗試過ArF之后，都不愿意繼續朝著這個方向投入研發成本的最重要原因吧。”

    周新話音剛落，林本堅臉色大變，周新知道ArF和KrF，這他能理解。

    因為這些都是發表在公開期刊上的內容，但凡對光刻機感興趣的人，都有機會閱讀到。

    但是周新能夠準確說出不往ArF方向投入的原因，即便從業人員，都沒有辦法知道的內容。

    這一章的科普性質內容有點多，但是沒辦法，不說清楚光刻機怎么作業，大家會看的一頭霧水。

    科普內容一共是400字，也就2起點幣，算一下也還好。

    (本章完)

    　　


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