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第一百三十二章 提前截胡臺積電(4K)-《千禧年半導(dǎo)體生存指南》


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    “你怎么知道采用ArF技術(shù)會造成更多的線邊波動和不規(guī)則性?

    關(guān)于ArF技術(shù)路線,在IEEE的雜志上有,但是無論是尼康還是佳能的工程師發(fā)表在上面的論文,都只說了好處沒有說缺陷?!绷直緢泽@訝地問。

    周新說:“尼康和佳能為了誤導(dǎo)競爭對手,故意不談ArF技術(shù)路線的缺點。

    為的就是讓競爭對手也踩到這個坑里去。

    他們已經(jīng)投入了大筆研發(fā)經(jīng)費到ArF技術(shù)路線,沒有找到辦法解決ArF光源帶來的線邊波動和不規(guī)則性問題,所以他們認為其他競爭對手也解決不了這個問題?!?

    林本堅默默點頭:“沒錯。

    就是這樣。”

    周新繼續(xù)說:“在技術(shù)路線上誤導(dǎo)競爭對手,這不是集成電路領(lǐng)域的常規(guī)操作嗎?”

    林本堅還是很好奇,他知道ArF技術(shù)路線的缺陷,是因為他從事這個領(lǐng)域的研究超過二十年,他有大量的人脈。

    由于保密協(xié)議的緣故,他的朋友無法直接告訴他,只能通過暗示的方式,向他透露ArF技術(shù)路線有重大缺陷。

    他對此也只是猜測,沒有證據(jù)的猜測。

    為什么周新能夠說得如此篤定,并且把ArF技術(shù)路線的缺陷也說得如此清楚。

    要知道有資格進行ArF技術(shù)路線實驗的實驗室,也就那幾家光刻機公司。

    周新戰(zhàn)術(shù)喝水之后說:“林伯,我知道你在想什么,我是不是買通了尼康的技術(shù)人員,從他們那獲得了技術(shù)機密。

    實際上ArF技術(shù)路線的缺陷,這很容易就推理出來。

    ArF光源的波長為193納米,相較于KrF光源的248納米波長更短。短波長光源在光刻過程中,顯然會受到更嚴重的散射、衍射和光學(xué)近場效應(yīng)的影響,導(dǎo)致圖案傳輸過程中的線邊波動和不規(guī)則性增加。

    同時使用ArF光源的光刻技術(shù)用于更先進的制程節(jié)點中,這導(dǎo)致晶圓需要實現(xiàn)更高的分辨率。

    隨著尺寸的縮小,光刻過程中的圖案邊緣更容易受到光學(xué)近場效應(yīng)、衍射和光刻膠吸收等因素的影響,從而導(dǎo)致線邊波動和不規(guī)則性。

    這是基于物理知識的推論。”

    林本堅鼓掌,“精彩的推演和敏銳的洞察力。

    當時正明和我說他從燕大找到了天才學(xué)生的時候,我還在想到底有多天才,讓他那么得意。

    你在這方面的天賦比我猜測的還要更出色。

    伱剛剛說的還差了兩點。

    一點是ArF光源的波長更容易被光刻膠吸收,這會導(dǎo)致光刻膠的曝光不均勻,進而影響成像質(zhì)量。所以需要專門針對ArF光源設(shè)計專門的光刻膠。

    但是專門針對ArF光源設(shè)計光刻膠,來減少吸收呢,新光刻膠又很有可能會進一步造成線邊波動和不規(guī)則性。

    另外采用ArF來構(gòu)建先進制程,會采用多重曝光技術(shù)、相位移光掩膜技術(shù)和偏振光技術(shù)等。

    這些技術(shù)一定程度上又會增加線邊波動和不規(guī)則性。

    所以造成線邊波動的原因比你猜測的更多?!?

    周新問:“可是有這么多困難,為什么前輩你還是看好ArF路線?”

    周新怎么知道林本堅看好ArF技術(shù)路線,因為林本堅這次在參加光學(xué)大會接受采訪的時候自己說的。

    “是幫光刻機公司打掩護嗎?”

    林本堅笑了:“我已經(jīng)從IBM離職了,IBM這幾年也幾乎沒有在光刻機領(lǐng)域繼續(xù)投入了。

    我又沒有為尼康或者佳能工作,為什么要幫他們打掩護。

    我當然是從我內(nèi)心出發(fā)更加看好ArF技術(shù)路線。

    我們剛剛說的是ArF的缺點,這些缺點只是暫時的。

    在KrF光源代替g線和i線的過程中,同樣有很多困難?!?

    g線是436nm波長的光源,i線是365nm波長的光源。

    “相對于g線和i線,KrF需要新的光刻膠和抗反射涂層材料來適應(yīng)KrF光源的特性。

    同時KrF要求更高性能的光學(xué)系統(tǒng)和光掩膜材料。當時需要采用更先進的透鏡和光學(xué)元件,以實現(xiàn)更高的數(shù)值孔徑和分辨率。

    此外,光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。

    KrF還需要優(yōu)化曝光過程,以提高成像質(zhì)量。我們當時主要采用了雙重曝光和離焦曝光技術(shù)來降低光刻誤差。

    讓我想想,對了,我們當時在研發(fā)KrF光源的時候還要對控制進行考慮,因為KrF實現(xiàn)了更高的分辨率,所以需要更嚴格的制程控制要求。

    需要對光刻膠涂覆厚度、曝光劑量、顯影過程等參數(shù)進行更精確的控制,以保證光刻成像質(zhì)量和產(chǎn)量。

    這么多困難,我們照樣克服了,最終KrF光源代替了g線和i線,成為了今天的最先進的制程光源。

    同樣未來短波長的光源勢必然會代替長波長的光源,這是技術(shù)進步的必然。
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